L'affaire est d'importance, les implications nombreuses mais la techologie assez compliquée à expliquer : Intel annonce qu'il est prêt pour la production en masse de processeurs utilisants des transistors 3D, alias tri-Gate.
Kesako cette chose, devez-vous vous demander. Au sein des microprocesseurs, les transistors jouent le rôle de porte d'entrée. Ils sont ouverts ou fermés, selon leur état et les tâches en cours. Actuellement, ces transistors sont connectés sur le substrat silicone de manière plane, bi-dimensionnelle.
Avec des processeurs utilisant une gravure toujours plus fine, un problème survient : le courant électrique a tendance à "fuir", entraînant une perte d'efficacité électrique et une sur-consommation. La solution d'Intel est d'interconnecter ces transistors avec le substrat sur une zone beaucoup plus large, avancée permise par le passage en 3D de la zone de contact.
Avec cette technologie, il est possible, en outre, de multiplier les zones de contacts , en multipliant les "fins". Dans ce cas de figure, la fréquence de fonctionnement peut, à tension égale, être augmentée, assure Intel de 18 à 37 %. Ou, à fréquence égale, réduire la tension utilisée de 80 % par rapport à un processeur classique gravé en 32 nm.
Pratiquement, Intel assure être capable de réduire la consommation de près de 50 % tout en multipliant par deux les transistors sur un même espace (ceci par rapport aux processeurs de génération actuelle).
Ce faisant, le fondeur, qui annonce la disponibilité de cette technique dès janvier prochain, tente de reprendre pied dans l'espace de l'ultra mobilité, où il se fait tailler de sévères croupières par ARM. La plateforme Ivy Bridge - 22 nm - sera la première à intégrer ce Tri-Gate.
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