Le MIT crée le plus petit transistor au monde
Par June Cantillon - Mis à jour le - Brève
Des chercheurs du MIT et de l’Université du Colorado ont fabriqué un transistor qui représente moins de la moitié de la taille des plus petits modèles actuellement disponibles sur le marché. Une technique de fabrication inventée en 2016 par l'Université du Colorado, nommée Thermal ALE -pour Atomic Level Etching- a été utilisée afin de modifier la matière atome par atome. Le résultat de ces recherches est un transistor de 2,5 nm en arsenide d'indium-gallium (ou InGaAs) . De plus, la précision inédite permet d'obtenir une meilleures qualité finale, et donc de meilleures performances. Les technologies évoluées mises en œuvre impliquent que le procédé ne sera pas disponible pour le grand public dans un avenir proche, mais les scientifiques estiment que
ces travaux auront un impact considérable.[MIT]
