Samsung produit des puces V-NAND eUFS 3.1 de 512 Go

Le constructeur coréen entend placer sa nouvelle puce V-NAND eUFS 3.1 d'une capacité de 512 Go au sein des smartphones haut de gamme à venir. La nouvelle puce (déclinée également en 128 et 256 Go) vient d'entrer en production, conserve le form factor de l'ancienne génération et permettra des performances de 2100 Mo/s en lecture et 1200 Mo/s en écriture (soit 3 fois les performances de la génération précédente en écriture). Selon Cheol Choi, vice-président exécutif des ventes et du marketing de la mémoire chez Samsung Electronics, avec l'introduction d'un stockage mobile plus rapide, les utilisateurs de smartphones n'auront plus à se soucier du goulot d'étranglement auquel ils sont confrontés avec le stockage classique. Ces puces pourraient se retrouver prochainement dans les iPhone, dont la capacité maximum est toujours de 512 Go, contre 1 To pour les iPad Pro. [Samsung]